DRAMとSRAMの違い・覚え方を徹底解説！

コンピュータやスマートフォンなど、現代のデジタルデバイスに欠かせない「メモリ」。 その中でも特に重要な揮発性メモリが DRAM（Dynamic RAM） と SRAM（Static RAM） です。

どちらも「データを一時的に保持するメモリ」ですが、仕組みや用途は大きく異なります。 本記事では、構造・動作原理から速度・コスト・用途までわかりやすく比較します。

記事のポイント

• DRAMとSRAMはいずれも揮発性メモリだが、構造・速度・用途が異なる
• DRAM：1T1C構造で容量を大きくしやすく、安価・大容量だがリフレッシュが必要で速度は遅め
• SRAM：6Tフリップフロップ構造で電源供給中は安定してデータ保持、高速だが高コストで小容量
• 主な用途
  • DRAM → PC/スマホのメインメモリ
  • SRAM → CPUキャッシュメモリ
• メモリ階層により、速度とコストの最適バランスを実現
• 覚え方：「D（でかい容量）R（リフレッシュ必要）→ DRAM、S（スピード重視）RAM → SRAM」

DRAMとSRAMは揮発性メモリ

DRAMとSRAMはどちらも電源が切れるとデータが失われる「揮発性メモリ」です。違いは、どの層で使われるかと動作方法にあります。

メモリ階層（上から高速）

1
CPUレジスタ（最速）
2
 ↓
3
SRAM：CPUキャッシュ
4
 ↓
5
DRAM：メインメモリ
6
 ↓
7
SSD/HDD

DRAM（Dynamic Random Access Memory）の基本

DRAMは、電荷をキャパシタに蓄えて情報を保持する方式のメモリです。時間とともに電荷が漏れるため、 周期的なリフレッシュ動作（読み直し・書き戻し） が必須です。この特性により「Dynamic（動的）」という名前が付けられています。

DRAMの構造・仕組み

DRAMは、トランジスタ1個＋キャパシタ1個のシンプルな構造（1T1Cセル）でデータを保持します。

• キャパシタ：電荷の有無でデータ（0/1）を表現
• 1bitの情報を1つのキャパシタと1つのトランジスタで保存
• 電荷が減るため、定期的にリフレッシュが必要

1T1CはDRAMセルの回路構造

1T1C構造とは、DRAMセル（メモリの最小単位）の回路構造を表す言葉で、1個のトランジスタ（T）と1個のキャパシタ（C） で1ビットの情報を保持する方式を指します。

電荷の有無でデータを記憶します。

• 構造が単純 → 小さく作れる → 大容量化しやすい
• キャパシタの電荷は時間とともに減るため → 定期的にリフレッシュが必要
• 低コスト／大容量向き

電気の出し入れを「蛇口（トランジスタ）」と 水の溜まりを「コップ（キャパシタ）」に例えるとイメージしやすいです。

DRAMの特徴：リフレッシュが必要

• 破壊読み出し: DRAMはデータを読み出す際にキャパシタの電荷を失ってしまうため、読み出し後にデータをメモリセルに書き戻す動作（リストア動作）が必要である
• 高集積度：1bitあたりの回路が小さく、大容量に向いている
• コストが安く、一般用途のメインメモリとして普及
• リフレッシュ動作のため速度がSRAMより遅い
• 消費電力は用途に応じては高くなる
• アクセス速度はSRAMより遅い

DRAMの用途

• PC・スマホのメインメモリ（主記憶装置）
• GPUメモリ（GDDRもDRAM技術の一種）
• サーバー向け ECCメモリ

SRAM（Static Random Access Memory）の基本

SRAMは、トランジスタの状態で情報を保持する方式です。電荷保持の必要がないため、リフレッシュ不要で、動作は安定して高速です。「Static（静的）」は状態が安定して変化しないことを意味します。

SRAMの構造・仕組み

SRAMはフリップフロップ回路（トランジスタ6個など） でデータを保持します。

• 1bitの情報を通常6つのトランジスタで構成（6Tフリップフロップ構造）
• 電源がある限りデータを保持
• 情報を保持するためのリフレッシュは不要

DRAMが電荷の有無でデータ保持（1T1C）するのに対し、 SRAMはフリップフロップ回路で状態そのものを保持します。

6Tフリップフロップ構造

6Tフリップフロップ構造 とは、SRAMセル（メモリの最小単位）の回路構造で、6個のトランジスタ（6T: 6 Transistors） を使って1ビットのデータを保持する方式のことです。

電源が供給されている限り回路の状態（電気信号）を維持できる

という特徴があります。

つまり、電気信号が安定した形で「0」または「1」を保持し続けます。

合計 6個のトランジスタ → 6T SRAMセル

フリップフロップ回路は2つの反転器（インバータ） で構成されます。 各インバータに2トランジスタ → 4トランジスタ さらに読み書き制御用に2トランジスタ → 計6T

DRAMの1T1Cとの違いをまとめると下記の通りです。

SRAMの特徴：リフレッシュ不要

SRAMは電圧状態の切り替えのみで動作し、DRAMのような充電→読み出し→書き戻しといった手順が不要です。そのため、CPUのようなナノ秒単位の処理が求められる用途に最適です。

• 読み書きが非常に高速
• リフレッシュ不要で安定動作する
• 低レイテンシでCPU性能に直結する
• 回路が状態を保持する
• 回路規模が大きく集積度が低い：大容量化に不向き・高コスト

SRAMの用途：キャッシュメモリ

• キャッシュメモリ (Cache Memory)
• レジスタファイル
• モバイルデバイスや高性能コンピューティング分野

DRAMとSRAMの比較一覧

DRAMとSRAMの違い覚え方と語呂合わせ

• DRAM = 大きな倉庫（広い・安いが管理が必要）
• SRAM = 手元の引き出し（小さいが超速アクセス）

CPUは必要なデータをすぐ使いたいので、まずSRAMに置く（キャッシュ） → 足りなければDRAMから取ってくるという仕組みです。

初心者でも直感的に理解できる覚え方（語呂合わせ）を紹介します。

語呂合わせ：

D（でかい容量）R（リフレッシュ必要）→ DRAM
S（スピード重視）RAM → SRAM

この語呂合わせで覚えると記憶に残りやすいです。

DRAM・SRAM違いまとめ

• DRAM = 大容量・安い・遅い → Main Memory
• SRAM = 高速・高価・小容量 → CPU Cache

大容量が必要ならDRAM、高速性が最重要ならSRAMが選択されます。 どちらが優れているというより、用途に応じて最適化されていることがポイントです。PC・組込み開発・クラウド設計の知識としてぜひ覚えておきましょう。

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